Place of Origin:
CHINA
브랜드 이름:
KACISE
인증:
CE
Model Number:
KSGYR111M-S
| 기인하다 | 값 |
|---|---|
| 공급 전압 VDDM | +2.7V ~+3.6V |
| 바이어스 zrl | ± 1 °/s (0 LSB 타이핑) |
| 요율 범위 i | ± 400 °/s |
| 비선형 성 ni | ± 0.5%fs |
| 교차 축 감도 CS | ± 5% |
KSGYR111M-S 디지털 쿼츠 MEMS 자이로 칩은 우수한 바이어스 출력 안정성과 저음을 특징으로합니다. 이 디지털 석영 자이로 스코프는 석영 MEMS 기술을 기반으로하며 반도체 처리 기술을 사용하여 제조되었습니다.
| 전원 공급 장치 매개 변수 | ||
|---|---|---|
| 공급 전압 VDDM | +2.7V ~+3.6V | |
| 인터페이스 VDDI의 공급 전압 | +1.65V ~+3.6V | |
| 제품 성능 | ||
| 스케일 팩터 | 70 LSB/(°/s) ± 2% | 16 비트, ta =+25 ℃ |
| 17920 LSB/(°/s) ± 2% | 24 비트, ta =+25 ℃ | |
| 온도 Spt | ± 3% | vddm = 3v, ta =+25 ℃ 참조 |
| 바이어스 zrl | ± 1 °/s (0 LSB 타이핑) | ta =+25 25 |
| 온도에 대한 바이어스 변화 a zrlta | ± 0.25 °/h | -10 ℃ ~+50 ℃, ta =+25 ℃ 참조 |
| 온도 B Zrltb에 대한 바이어스 변화 | ± 1 °/h | -20 ℃ ~+80 ℃, ta =+25 ℃ 참조 |
| 바이어스 온도 계수 ZRL | 0.0016 (°/s)/℃ (타이핑) | vddm = 3v, 절대 값의 평균, Δt = 1 ℃ |
| 요율 범위 i | ± 400 °/s | |
| 비선형 성 ni | ± 0.5%fs | ta =+25 25 |
| 교차 축 감도 CS | ± 5% | ta =+25 25 |
| 현재 소비 IOP1 | 900μa 유형 | |
| 수면 전류 IOP3 | 3μA 타이핑 | |
| 노이즈 밀도 nd | 0.0015 (°/s)/√Hz | @ 10Hz, LPF 기본 설정 |
| 각도 랜덤 워크 n | 0.065 °/√H | |
| 환경 사양 | ||
| 작동 온도 Topr | -20 ℃～+80 ℃～ | |
| 저장 온도 TSTG | -40 8+85 ℃ | |
단위 : MM
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