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triaxial acceleration sensor (52)  온라인 제조사

전력 DC5V Mems 자이로스코프 센서 데이터 속도 2000Hz 넓은 온도 범위 -40~+80°C

제로 바이어스 안정성: ≤0.5allan 편차(deg/h)

전력 소모: ≤1(W @5V DC)

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전자 3축 MEMS 자이로스코프 센서 범위 ±500 (゚/S) 및 편차 ≤±0.1 (゚/S)

데이터 업데이트 속도 (설정할 수 있습니다.): 2000 (Hz)

범위: ±500(゜/초)

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RS422 비선형성≤0.05 ((%FR) 전기 인터페이스가 있는 전자 회전경 센서

진동: 6.06(g)

크기: 45×39×20(mm)

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RS422 전자 자이로스코프 센서 충격 저항 5000 (((G) 및 ±500 ゚/S 범위

비선형성: ≤0.05 ((%FR)

바이어스 반복성: ≤0.05 (( ゚/s)

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고성능 DC5V MEMS 자이로스코프 센서 신뢰성 10Kh MTBF 및 2000 ((Hz@460800) 데이터 업데이트 속도

고장간 평균시간: 10(Kh MTBF)

제로 바이어스 반복성: ≤ 1도/초

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MEMS 센서는 미사일 안내 및 제어에 사용할 수 있으며 크기가 작고 RS422에 적합하며 무게 ≤50 (g)

전력: DC5 ((V)

고장간 평균시간: 10(Kh MTBF)

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속도 데이터 업데이트 MEMS 자이로스코프 센서 5000g 충격 저항 -55~+85°C 저장 온도

데이터 업데이트 속도(설정 가능): 2000(Hz@460800)

전력 소모: ≤1.1(W @5V DC)

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-65°C+125°C 저장 온도 범위 환경의 매우 정확한 MEMS 지로 센서

고장간 평균시간: 100시간(MTBF)

확장 요인: 8±0.5 ((mv/°/s)

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디지털 방식으로 UART 산출을 가진 저출력 소비 Imu 감지기 단위 23mA

입력 전압: 3.3V DC

입력 전류: 23mA

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지로스코프 MEMS DC5V 전력 2000Hz 데이터 업데이트 속도 - 충격 내성이 5000g -55~85°C 저장 온도

크기: 45×39×20(mm)

범위: ±500(3축)(deg/s)

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데이터 속도 Mems 회전기 Mems RS422 인터페이스에서 회전기 MTBF 넓은 온도 범위

데이터 업데이트 속도(설정 가능): 2000(Hz@460800)

제로 바이어스: ≤±0.05 (500°/s에서)

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KSGYR322M 3축 디지털 자이로

입력 전압: 5V DC

전력 소산: ≤1W @5V DC

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비선형성 ≤0.05 ((%FR) 편차 ≤±0.1 ((゚/S) 안정적인 플랫폼 안정화 시스템을 위한 MEMS 자이로

전력 소모: 1(W) 이하

데이터 업데이트 속도 (설정할 수 있습니다.): 2000 (Hz)

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충격 저항 메임 자이로스코프 DC5V RS422 인터페이스와 함께 전원

충격: 5000(g, 0.1Ms, 1/2 사인)

전력: DC5 ((V)

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실패 사이의 긴 평균 시간 10 ((Kh MTBF) 3 축 Mems 산업용 자이로스코프

전력: DC5 ((V)

고장간 평균시간: 10(Kh MTBF)

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