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mems gyroscope sensor 온라인 제조사

mems gyroscope sensor (150)  온라인 제조사

가벼운 MEMS 쿼츠 속도 센서 넓은 작동 온도 범위 시작 시간 (보통) <2s, 입력 전압+5v

진동 작동: 5그램

입력 전류: < 8 MA @ +5.0 Vdc

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정밀 듀얼 리던스 지로 센서 RS422 인터페이스 -40~65°C 운영 온도

인터페이스: RS422(1비트 시작 +8비트 데이터 +1비트 짝수 패리티 검사 +1비트 정지)

입력 전압: 5±0.2V DC

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고해상도 디지털 쿼츠 MEMS 지로 칩은 ZRL ±1°/s (0 LSB 타입) 및 각 Random Walk N 0.065 °/√h를 가지고 있습니다.

소음 밀도 Nd: 0.0015(°/s)/√Hz

비율 범위 I: ±400°/s

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저전력 소형 MEMS 센서 대역폭 ((-3 DB) > 50 Hz 진동 생존 10 그램

입력전류: < 8MA @ +5.0Vdc

대역폭(-3dB): > 50Hz

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작은 MEMS 쿼츠 각률 센서 G 감수성 (보통) < 0.05°/초/g 및 충격 500g PK 1⁄2 사이인스 2msec

온도에 따른 바이어스 변화: 8~20°/초

0°C에서의 출력 전압(온도 센서): +424 MV 일반

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데이터 속도 Mems 회전기 Mems RS422 인터페이스에서 회전기 MTBF 넓은 온도 범위

데이터 업데이트 속도(설정 가능): 2000(Hz@460800)

제로 바이어스: ≤±0.05 (500°/s에서)

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작은 MEMS 쿼츠 각률 센서 5gm의 진동으로 작동하는 짧은 여행

출력 잡음(DC ~ 100Hz): ≤ 0.005~0.01°/초/√Hz

G 감도(일반): < 0.05°/초/g

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커스터마이징 가능한 대역폭 80Hz Mems 지로스코프 Mems 지로 광대 온도 범위 -45 ′′+80 °C 비선형성 ≤0.05 ′′%FR

대역폭은 사용자 정의 가능: 80Hz

비선형성: ≤0.05 ((%FR)

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디지털 쿼츠 MEMS 자이로스코프 칩 스케일 인자 소 70 LSB/(°/s) ±2% 및 전류 소비 Iop1 900μA 타입

작동 온도 TOPR: -20℃~+80℃

온도 B ZRLtb에 대한 편향 변동: ±1°/h

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충격 저항 쿼츠 속도 센서 온도 센서 출력 저출력 전류 가벼운 설계

충격: 500g PK ½ 사인 2msec

입력전류: < 8MA @ +5.0Vdc

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MEMS 쿼츠 자이로스코프 진동 저항 5gms 2.0초 시작 -40°C ~ +85°C 작동 범위

임계/해상도: 0.004°/초 이하

무게: 50그램 이하

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비선형성 ≤0.1 ((% Fs) 및 10000 ((g) MEMS 세 축 자이로스코프 센서에서의 충격 저항

비선형성: ≤0.1(%Fs)

바이어스 반복성: 0.15 이하(゜/s)

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-65°C+125°C 저장 온도 범위 환경의 매우 정확한 MEMS 지로 센서

고장간 평균시간: 100시간(MTBF)

확장 요인: 8±0.5 ((mv/°/s)

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쿼츠 자이로스코프 MEMS-55 °C ~ 100 °C 0.05°/초의 단기 편향 안정성으로 짧은 여행에 사용할 수 있습니다

풀 스케일 출력(공칭): ±5Vdc

온도에 따른 스케일 팩터(일반적으로 22°C에서 편차): 0.06%/°C 이하

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50 (g) 산업용 용량 Mems 지로 센서 범위 ±500 (゚/s)

크기: 45×39×20(mm)

저장 온도: -55~+85(°C)

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300 확장 요인 반복성 지로 센서 넓은 작동 온도 범위 ±30g 측정 범위

제로 바이어스 안정성(Allan Variance @25 ℃ ): 50ug

영향: 5000g,0.1ms

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