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mems gyroscope sensor 온라인 제조사

mems gyroscope sensor (160)  온라인 제조사

디지털 쿼츠 MEMS 자이로스코프 칩 스케일 인자 소 70 LSB/(°/s) ±2% 및 전류 소비 Iop1 900μA 타입

작동 온도 TOPR: -20℃~+80℃

온도 B ZRLtb에 대한 편향 변동: ±1°/h

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선택적 필터 디지털 쿼츠 MEMS 자이로스코프 칩 속도 범위 ±400°/s Coss 축 감수성 CSr ±5%

Coss 축 감도 CSr: ± 5%

비선형성 NI: 비선형성 NI

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비선형성 ≤0.1 ((% Fs) 및 10000 ((g) MEMS 세 축 자이로스코프 센서에서의 충격 저항

비선형성: ≤0.1(%Fs)

바이어스 반복성: 0.15 이하(゜/s)

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80Hz 대역폭 ≤40 ((G) 관성 측정 단위용 MEMS 지로

무게: ≤40g

확장 요인: 8±0.5 ((mv/°/s)

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MEMS 자이로스코프 3축 수중 내비게이션 시스템 해상도 ≤0.05 ((도/초) 및 높은 대역폭 Φ39.5×28.5 mm

결의: 0.05 이하(도/초)

시작 시간: 1(초) 이하

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MEMS 센서는 미사일 안내 및 제어에 사용할 수 있으며 크기가 작고 RS422에 적합하며 무게 ≤50 (g)

전력: DC5 ((V)

고장간 평균시간: 10(Kh MTBF)

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높은 성능, 저렴한 비용 Mems 회전기, 들어오는 전류mA 30 MA 및 80 Hz의 사용자 정의 대역폭

출력 노이즈: <0.02 ((°/s√Hz)

G 값 감도: <0.02(°/s/g)

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작은 크기의 쿼츠 MEMS 자이로스코프, 편견 캘리브레이션 2.5 ± 0.045 Vdc

시작 시간(일반): <2.0초

스케일 팩터 교정(일반적으로 22°C에서): 값의 ±2%

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50 (g) 산업용 용량 Mems 지로 센서 범위 ±500 (゚/s)

크기: 45×39×20(mm)

저장 온도: -55~+85(°C)

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-65°C+125°C 저장 온도 범위 환경의 매우 정확한 MEMS 지로 센서

고장간 평균시간: 100시간(MTBF)

확장 요인: 8±0.5 ((mv/°/s)

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스피드 반응 쿼츠 MEMS 자이로스코프 200g 충격 내성 및 DC 입력 / 높은 수준의 DC 출력

임계/해상도: 0.004°/초 이하

스케일 팩터 교정(일반적으로 22°C에서): 값의 ±2%

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정밀 MEMS 지로 센서 실행 시간 ≤5ms, 출력 노이즈 ≤0.02s√Hz

대역폭(Hz)은 사용자 정의 가능: ≤100

준비기간: ≤5ms

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정밀 전자 자이로스코프 센서 -40 ~ 65°C 6.06G 무작위 진동 척도 요인 비선형 ≤200ppm

입력 전압: 5±0.2V DC

스케일 팩터 비선형성: ≤200ppm

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매우 신뢰할 수 있는 MEMS 지로 센서 5V±5% 전원 공급 ≤0.15°/s 편향 반복성

허용되는 가속: 10000(0.1ms)(g)

무게: 100(g) 이하

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비선형성이 F.R.의 0.05% 이하인 석영 MEMS 속도 센서 모놀리식 석영 감지 요소를 갖춘 10Grms 진동 생존

풀 스케일 출력(공칭): ±5Vdc

출력 잡음(DC~100Hz): ≤0.05°/초/√Hz

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